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1コメント
             

半導体ラピダス 「2ナノ世代」4月から試作品製造へ

1: 2025/01/07(火) 07:40:28.37 ID:HDSjsGbh
【NHK】半導体メーカーの「ラピダス」はことし4月から試作品の製造を始める予定で、先端半導体の国産化を目指して、まずは試作ラインの…
2: 2025/01/07(火) 07:55:14.75 ID:mkkRMkNv

インテルの場合、EUVを使ったプロセス開発自体は順調に出来たけど
量産段階で歩留まりが上がらず・・・TSMCへ外注する結果に

20: 2025/01/07(火) 10:40:01.05 ID:p6YUhL79

>>2
TSMCが製造してるLunarLakeめっちゃ性能向上してるからな
インテルはずっと自社ファブが足引っ張っていたから
これでようやくインテルもNVIDIAやQualcommと勝負できる土俵に立った

3: 2025/01/07(火) 07:55:18.59 ID:v3omClgb

コレを2年後売り出すとか遅すぎる気がするけど大丈夫か?

6: 2025/01/07(火) 08:05:09.99 ID:cDNy6YIy

>>3
いや。2年で売り出せたらめちゃくちゃ早い。
普通に考えても10年かかると思う。

4: 2025/01/07(火) 07:58:28.12 ID:xQKj4Gi+

いきなり2ナノとか無理じゃね?
新設野球部がメジャーリーグ参入するくらい厳しそう

22: 2025/01/07(火) 10:42:46.32 ID:p6YUhL79

>>4
ホリエモンや前澤がピッチャー始めて
メジャーリーグで大谷から三振取るって言い出したようなもんだw

46: 2025/01/07(火) 14:23:29.54 ID:Ff5wuHy0

>>4
いま主流のfinfet飛ばして、nanosheetから始めるって話だから
設計技術自体は横並び状態だぞ

あとは最新の生産装置群とFAB用MESをうまくインテグレーションできるかどうか

51: 2025/01/07(火) 14:40:29.40 ID:3ny5iJOz

>>46
バカ?
EUVL利用をはじめとするプロセス開発での経験値が全く違う
FinFET->GAAの切替期だから横並びだというのはラピダスの妄想でしかない

11: 2025/01/07(火) 08:38:46.90 ID:kxJLxSRj

税金ばらまいて終了だろどうせ
わかってるぜ

12: 2025/01/07(火) 09:29:10.21 ID:nFoFbK3Y

誰もまともにできると思って無いから
顧客が今のところゼロ
失敗が確約されてるラピダス

15: 2025/01/07(火) 09:36:35.02 ID:miQsuRad

とりあえず進んでいることをアピールして、毎年税金を投入してもらわないとつぶれるからね

16: 2025/01/07(火) 10:19:06.12 ID:RlA040Lf

あまりに微細だとトンネル電流が問題になったりしないのかな

29: 2025/01/07(火) 11:53:47.25 ID:9Xvvkwsh

NVIDIAから発注があるといいね
がんばれがんばれ

31: 2025/01/07(火) 11:57:37.97 ID:xQKj4Gi+

最近は台湾のメディアテックが凄い
demensityシリーズ性能すごい
スマホcpuのシェア一気に取るかもな

43: 2025/01/07(火) 13:04:33.55 ID:4HDUCsTn

国内に製造装置メーカーと材料メーカーが揃っている日本ではそれらから集中的な支援をもらえれば製造自体は技術的に可能だと思うけどビジネスで成功するかどうかは顧客次第だよね
どんな営業してるんだろ 興味ある

53: 2025/01/07(火) 15:05:40.44 ID:4oIe+h0F

サムスン、インテルは完全に落ち目になってしまったなぁ

産業用にシフトしている日本と違って大変だわな

47: 2025/01/07(火) 14:26:33.10 ID:uOOY3gOY

日本半導体最終決戦だな
背水の陣

https://egg.5ch.net/test/read.cgi/bizplus/1736203228/

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1コメント

  1. 名前:憂国の名無士 投稿日:2025/01/07(火) 16:14:04 ID:Y0NjgyNTQ 返信

    EUVって冷蔵庫じゃないんだからコンセント差せば動くという代物ではない
    EUVを発生させるにはスズの小滴をレーザーで粉砕する方法が最適と分かった。時速320㎞で移動する100万分の30メートルのスズを射出し、そのスズにレーザーを2回照射する。一回目で高温にし、2回目で破壊し、50万℃という温度のプラズマとする。このプロセスを1秒当たり5万回繰り返すことで半導体に必要なEUVが得られる。波長13.5ナノのEUVはX線に近く反射はせず吸収してしまう。ツアイスが開発したのは、それぞれの厚さが数ナノのモリブデンとシリコンの薄膜を100層コーティングしたミラーで、このミラーをドイツの国土ほどに拡大したとしてその凹凸は0.1㎜にしかならない。ミラーは完璧に制止させなければならず、レーザーを月面に置かれたゴルフボールに命中させるくらいの精度が必要。炭酸ガスレーザーの生み出すエネルギーは8割が熱で、光は2割のみなので1秒間に1000回回転するファンで熱を吸収する。EUVシステムは46万7329個の部品で出来ており。開発に30年かかった。

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